SSVMUN5312DW1T2G
SSVMUN5312DW1T2G
Osa numero:
SSVMUN5312DW1T2G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15246 Pieces
Tietolomake:
SSVMUN5312DW1T2G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SSVMUN5312DW1T2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSVMUN5312DW1T2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SSVMUN5312DW1T2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Toimittaja Device Package:SC-88/SC70-6/SOT-363
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):22k
Vastus - Base (R1) (ohmia):22k
Virta - Max:187mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:11 Weeks
Valmistajan osanumero:SSVMUN5312DW1T2G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Kuvaus:TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit