Ostaa SSVMUN5312DW1T2G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SSVMUN5312DW1T2G
- Osa numero:
- SSVMUN5312DW1T2G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15246 Pieces
- Tietolomake:
- SSVMUN5312DW1T2G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SSVMUN5312DW1T2G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSVMUN5312DW1T2G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| transistori tyyppi: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Toimittaja Device Package: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Sarja: | - |
| Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 22k |
| Vastus - Base (R1) (ohmia): | 22k |
| Virta - Max: | 187mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 11 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SSVMUN5312DW1T2G |
| Taajuus - Siirtyminen: | - |
| Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Kuvaus: | TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363 |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SSVMUN5312DW1T2G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RN2906,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
 |
DDC122TU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | tiedustelu |
 |
XN0121F00L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | tiedustelu |
 |
DMG264H00R | Panasonic Electronic Components | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | tiedustelu |
 |
XP0431200L | Panasonic Electronic Components | TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 | tiedustelu |
|
XN0121400L | Panasonic Electronic Components | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5 | tiedustelu |
|
RN1673(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6 | tiedustelu |
|
DDC143ZU-7-F | Diodes Incorporated | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 | tiedustelu |
|
RN4984(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog