STB13N60M2
STB13N60M2
Osa numero:
STB13N60M2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16069 Pieces
Tietolomake:
STB13N60M2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STB13N60M2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STB13N60M2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STB13N60M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D2PAK
Sarja:MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 5.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):110W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet:497-13828-2
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:STB13N60M2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:580pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit