Ostaa STB4NK60Z-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I2PAK |
Sarja: | SuperMESH™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 70W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | 497-12536-5 STB4NK60Z-1-ND |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STB4NK60Z-1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |