Ostaa STD150NH02L-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STD150NH02L-1
- Osa numero:
- STD150NH02L-1
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 24V 150A IPAK
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12031 Pieces
- Tietolomake:
- STD150NH02L-1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STD150NH02L-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD150NH02L-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | I-Pak |
| Sarja: | STripFET™ III |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | STD150NH02L-1 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4450pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 24V 150A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 24V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 24V 150A IPAK |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STD150NH02L-1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTN62N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 | tiedustelu |
 |
SSM3K316T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 4A TSM | tiedustelu |
 |
STD150NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 150A DPAK | tiedustelu |
|
STD15P6F6AG | STMicroelectronics | MOSFET PCH 60V 10A DPAK | tiedustelu |
 |
STD150N2LH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH DPAK | tiedustelu |
|
STD15N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFR220NTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5A DPAK | tiedustelu |
|
STD150N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | tiedustelu |
 |
SI3424DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
RSH090N03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A SOP8 | tiedustelu |
 |
STD155N3LH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | tiedustelu |
|
STD15N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK | tiedustelu |
|
STD155N3H6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 80A DPAK | tiedustelu |
|
STD15NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog