STD8NM60N-1
STD8NM60N-1
Osa numero:
STD8NM60N-1
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19442 Pieces
Tietolomake:
STD8NM60N-1.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STD8NM60N-1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STD8NM60N-1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STD8NM60N-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):70W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STD8NM60N-1
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:560pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit