Ostaa STD8NM60N-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | MDmesh™ II |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 70W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STD8NM60N-1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 560pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 7A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |