Ostaa STD90N02L-1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I-Pak |
Sarja: | STripFET™ III |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 70W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 3 (168 Hours) |
Valmistajan osanumero: | STD90N02L-1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2050pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 60A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-Pak |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 60A IPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |