Ostaa STGW80H65DFB-4 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STGW80H65DFB-4
- Osa numero:
- STGW80H65DFB-4
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- IGBT BIPO 650V 80A TO247
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18725 Pieces
- Tietolomake:
- STGW80H65DFB-4.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STGW80H65DFB-4, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STGW80H65DFB-4 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 80A |
| Testaa kunto: | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 84ns/280ns |
| Switching Energy: | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247-4L |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 85ns |
| Virta - Max: | 469W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-4 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 20 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STGW80H65DFB-4 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 414nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L |
| Kuvaus: | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 240A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STGW80H65DFB-4
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW80H65DFB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | tiedustelu |
 |
STGW80H65FB-4 | STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 80A TO247 | tiedustelu |
 |
IXGX72N60A3H1 | IXYS | IGBT 600V 75A 540W PLUS247 | tiedustelu |
|
STGW80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | tiedustelu |
|
STGW80V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | tiedustelu |
|
STGW80V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | tiedustelu |
 |
RJH1BG7RDPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 1100V 60A 250W TO247 | tiedustelu |
 |
IRG7PH28UD1MPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 115W TO247AC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog