STH180N10F3-6
STH180N10F3-6
Osa numero:
STH180N10F3-6
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14202 Pieces
Tietolomake:
STH180N10F3-6.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STH180N10F3-6, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STH180N10F3-6 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STH180N10F3-6 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:H²PAK
Sarja:STripFET™ III
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 60A, 10V
Tehonkulutus (Max):315W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Muut nimet:497-11840-6
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STH180N10F3-6
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6665pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:114.6nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H²PAK
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit