Ostaa STH290N4F6-6AG BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STH290N4F6-6AG
- Osa numero:
- STH290N4F6-6AG
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19189 Pieces
- Tietolomake:
- 1.STH290N4F6-6AG.pdf2.STH290N4F6-6AG.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STH290N4F6-6AG, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STH290N4F6-6AG sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | H2PAK-6 |
| Sarja: | STripFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 Ohm @ 45A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 300W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Muut nimet: | 497-16510-2 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STH290N4F6-6AG |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 7380pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 40V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STH290N4F6-6AG
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7402PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
STH290N4F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2PAK-2 | tiedustelu |
 |
STH290N4F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 | tiedustelu |
|
STH290N4F6-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2PAK-6 | tiedustelu |
 |
SI7483ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
TK39J60W,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P | tiedustelu |
|
SI7880ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
IRFL214TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 | tiedustelu |
 |
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | tiedustelu |
 |
IRLR9343-701PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | tiedustelu |
 |
2SK3703-1EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers