STI20N65M5
STI20N65M5
Osa numero:
STI20N65M5
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18477 Pieces
Tietolomake:
STI20N65M5.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STI20N65M5, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STI20N65M5 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STI20N65M5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:MDmesh™ V
RDS (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):130W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:497-13774-5
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:STI20N65M5
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1434pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit