STI21NM60ND
STI21NM60ND
Osa numero:
STI21NM60ND
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13008 Pieces
Tietolomake:
STI21NM60ND.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STI21NM60ND, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STI21NM60ND sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STI21NM60ND BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:FDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:220 mOhm @ 8.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):140W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STI21NM60ND
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 17A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit