Ostaa STI30N65M5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | I2PAK |
Sarja: | MDmesh™ V |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 139 mOhm @ 11A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 140W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Muut nimet: | 497-11330-5 |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STI30N65M5 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2880pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 22A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
Email: | [email protected] |