STL24N60M2
STL24N60M2
Osa numero:
STL24N60M2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13927 Pieces
Tietolomake:
STL24N60M2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STL24N60M2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STL24N60M2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STL24N60M2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerFlat™ (8x8) HV
Sarja:MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 9A, 10V
Tehonkulutus (Max):125W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:4-PowerFlat™ HV
Muut nimet:497-14214-2
STL24N60M2-ND
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):3 (168 Hours)
Valmistajan toimitusaika:22 Weeks
Valmistajan osanumero:STL24N60M2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 18A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit