Ostaa STP16NM50N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | MDmesh™ II |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 260 mOhm @ 7.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 125W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | 497-7510-5 STP16NM50N-ND |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STP16NM50N |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 15A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc) |
Email: | [email protected] |