Ostaa STP38N65M5 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220 |
Sarja: | MDmesh™ V |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 95 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 190W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | 497-13112-5 |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | STP38N65M5 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 30A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |