Ostaa STP8NK100Z BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 100µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220AB |
Sarja: | SuperMESH™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.85 Ohm @ 3.15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 160W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | 497-5021-5 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
Valmistajan osanumero: | STP8NK100Z |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2180pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 102nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 1000V (1kV) 6.5A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 1000V (1kV) |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |