Ostaa STV160NF03LT4 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STV160NF03LT4
- Osa numero:
- STV160NF03LT4
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 17575 Pieces
- Tietolomake:
- STV160NF03LT4.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STV160NF03LT4, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STV160NF03LT4 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | 10-PowerSO |
| Sarja: | STripFET™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.8 mOhm @ 80A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 210W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Muut nimet: | 497-3252-1 |
| Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | STV160NF03LT4 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STV160NF03LT4
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STV160NF02LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | tiedustelu |
 |
IXFT58N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 58A TO-268 | tiedustelu |
|
STV160NF02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 | tiedustelu |
 |
SI4642DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC | tiedustelu |
|
STV160NF03LAT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 | tiedustelu |
 |
ZVN2106ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3 | tiedustelu |
 |
IXFP10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | tiedustelu |
 |
IRF3706L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 77A TO-262 | tiedustelu |
 |
IRLR110TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | tiedustelu |
 |
STP55NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 55A TO-220 | tiedustelu |
 |
FDMS3006SDC | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN | tiedustelu |
 |
IRLR7833CTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | tiedustelu |
 |
IRFS52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers