STW23NM60ND
STW23NM60ND
Osa numero:
STW23NM60ND
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15971 Pieces
Tietolomake:
STW23NM60ND.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STW23NM60ND, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW23NM60ND sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STW23NM60ND BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247-3
Sarja:FDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max):150W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:497-8454-5
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:STW23NM60ND
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 19.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:19.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit