STW35N60DM2
STW35N60DM2
Osa numero:
STW35N60DM2
Valmistaja:
ST
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 28A
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14128 Pieces
Tietolomake:
STW35N60DM2.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä STW35N60DM2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW35N60DM2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa STW35N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247
Sarja:MDmesh™ DM2
RDS (Max) @ Id, Vgs:110 mOhm @ 14A, 10V
Tehonkulutus (Max):210W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-247-3
Muut nimet:497-16356-5
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:STW35N60DM2
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 28A
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit