Ostaa STW35N60DM2 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
STW35N60DM2
- Osa numero:
- STW35N60DM2
- Valmistaja:
- ST
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 28A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14128 Pieces
- Tietolomake:
- STW35N60DM2.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä STW35N60DM2, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma STW35N60DM2 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247 |
| Sarja: | MDmesh™ DM2 |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 14A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 210W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Muut nimet: | 497-16356-5 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | STW35N60DM2 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 28A |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat STW35N60DM2
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog