SUD35N10-26P-E3
SUD35N10-26P-E3
Osa numero:
SUD35N10-26P-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16201 Pieces
Tietolomake:
SUD35N10-26P-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SUD35N10-26P-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SUD35N10-26P-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SUD35N10-26P-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):8.3W (Ta), 83W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:SUD35N10-26P-E3-ND
SUD35N10-26P-E3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SUD35N10-26P-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):7V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit