Ostaa SUD40N02-3M3P-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-252, (D-Pak) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.3W (Ta), 79W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SUD40N02-3M3P-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6520pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 20V 24.4A (Ta), 40A (Tc) 3.3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 20V 24.4A TO252 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 24.4A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |