Ostaa SUM110P06-08L-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-263 (D2Pak) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.75W (Ta), 272W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Muut nimet: | SUM110P06-08L-E3TR SUM110P0608LE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SUM110P06-08L-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9200pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |