SUP60N02-4M5P-E3
SUP60N02-4M5P-E3
Osa numero:
SUP60N02-4M5P-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17494 Pieces
Tietolomake:
1.SUP60N02-4M5P-E3.pdf2.SUP60N02-4M5P-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SUP60N02-4M5P-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SUP60N02-4M5P-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SUP60N02-4M5P-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220AB
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):3.75W (Ta), 120W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-220-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SUP60N02-4M5P-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5950pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 20V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit