Ostaa SZESD8351MUT5G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SZESD8351MUT5G
- Osa numero:
- SZESD8351MUT5G
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 16470 Pieces
- Tietolomake:
- SZESD8351MUT5G.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SZESD8351MUT5G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SZESD8351MUT5G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Käänteinen Standoff (Typ): | 3.3V (Max) |
|---|---|
| Jännite - kiristys (maksimi) @ Ipp: | 11.2V |
| Jännite - erittely (min): | 5.5V |
| Yksisuuntaiset kanavat: | 1 |
| Tyyppi: | Zener |
| Toimittaja Device Package: | 2-X3DFN (0.62x0.32) |
| Sarja: | Automotive, AEC-Q101 |
| Power Line Protection: | No |
| Teho - huippukulma: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 2-XFDFN |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 25 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SZESD8351MUT5G |
| Kuvaus: | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC 2X3DFN |
| Nykyinen - Peak Pulse (10 / 1000μs): | 5A (8/20µs) |
| Kapasitanssi @ Taajuus: | 0.37pF @ 1MHz |
| Sovellukset: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SZESD8351MUT5G
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SZESD8451N2T5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 19VC 2XDFN | tiedustelu |
|
SZESD7462N2T5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 47V 16A 2XDFN | tiedustelu |
 |
SZESD8351XV2T1G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD523 | tiedustelu |
 |
SZESD8351HT1G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD323 | tiedustelu |
 |
SZESD7481MUT5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 12VC 2X3DFN | tiedustelu |
 |
SZESD8351P2T5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD923 | tiedustelu |
|
SZESD8451MUT5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 19VC 2X3DFN | tiedustelu |
|
SZESD8472MUT5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 5.3VWM 14VC 2X3DFN | tiedustelu |
|
SZESD7951ST5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 5VWM 12VC SOD923 | tiedustelu |
|
SZESD9B3.3ST5G | ON Semiconductor | TVS DIODE 3.3VWM 11.5VC SOD923 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog