TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Osa numero:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14924 Pieces
Tietolomake:
1.TJ50S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ50S06M3L(T6L1,NQ.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TJ50S06M3L(T6L1,NQ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TJ50S06M3L(T6L1,NQ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TJ50S06M3L(T6L1,NQ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:DPAK+
Sarja:U-MOSVI
RDS (Max) @ Id, Vgs:13.8 mOhm @ 25A, 10V
Tehonkulutus (Max):90W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:TJ50S06M3L(T6L1NQ
TJ50S06M3LT6L1NQ
Käyttölämpötila:175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:6290pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:124nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 60V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:50A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit