Ostaa TJ60S04M3L(T6L1,NQ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | DPAK+ |
Sarja: | U-MOSVI |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 30A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 90W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | TJ60S04M3L(T6L1NQ TJ60S04M3LT6L1NQ |
Käyttölämpötila: | 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TJ60S04M3L(T6L1,NQ |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 6510pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 125nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 40V 60A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Ta) |
Email: | [email protected] |