TK100A08N1,S4X
TK100A08N1,S4X
Osa numero:
TK100A08N1,S4X
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19217 Pieces
Tietolomake:
TK100A08N1,S4X.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK100A08N1,S4X, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK100A08N1,S4X sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK100A08N1,S4X BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220SIS
Sarja:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):45W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Muut nimet:TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:TK100A08N1,S4X
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 80V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):80V
Kuvaus:MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit