TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q
Osa numero:
TK14C65W,S1Q
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19946 Pieces
Tietolomake:
TK14C65W,S1Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK14C65W,S1Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK14C65W,S1Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK14C65W,S1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 690µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I2PAK
Sarja:DTMOSIV
RDS (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.9A, 10V
Tehonkulutus (Max):130W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Muut nimet:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:TK14C65W,S1Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit