TK31A60W,S4VX
TK31A60W,S4VX
Osa numero:
TK31A60W,S4VX
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17589 Pieces
Tietolomake:
TK31A60W,S4VX.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK31A60W,S4VX, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK31A60W,S4VX sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK31A60W,S4VX BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 1.5mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220SIS
Sarja:DTMOSIV
RDS (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 15.4A, 10V
Tehonkulutus (Max):45W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Muut nimet:TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TK31A60W,S4VX
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Super Junction
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit