Ostaa TK32A12N1,S4X BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 500µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220SIS |
Sarja: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 30W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Muut nimet: | TK32A12N1,S4X(S TK32A12N1,S4X-ND TK32A12N1S4X |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TK32A12N1,S4X |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 60V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 120V 32A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 120V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |