TK5Q60W,S1VQ
TK5Q60W,S1VQ
Osa numero:
TK5Q60W,S1VQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14132 Pieces
Tietolomake:
TK5Q60W,S1VQ.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK5Q60W,S1VQ, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK5Q60W,S1VQ sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK5Q60W,S1VQ BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.7V @ 270µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:I-Pak
Sarja:DTMOSIV
RDS (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 2.7A, 10V
Tehonkulutus (Max):60W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Muut nimet:TK5Q60W,S1VQ(S
TK5Q60WS1VQ
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:TK5Q60W,S1VQ
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:Super Junction
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.4A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit