Ostaa TK8A60DA(STA4,Q,M) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-220SIS |
Sarja: | π-MOSVII |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1 Ohm @ 4A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 45W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 Full Pack |
Muut nimet: | TK8A60DA(STA4QM) TK8A60DASTA4QM |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TK8A60DA(STA4,Q,M) |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 7.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |