TK9A55DA(STA4,Q,M)
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Osa numero:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17752 Pieces
Tietolomake:
TK9A55DA(STA4,Q,M).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TK9A55DA(STA4,Q,M), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TK9A55DA(STA4,Q,M) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TK9A55DA(STA4,Q,M) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-220SIS
Sarja:π-MOSVII
RDS (Max) @ Id, Vgs:860 mOhm @ 4.3A, 10V
Tehonkulutus (Max):40W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-3 Full Pack
Muut nimet:TK9A55DA(STA4QM)
TK9A55DASTA4QM
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:TK9A55DA(STA4,Q,M)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 550V 8.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Valua lähde jännite (Vdss):550V
Kuvaus:MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit