TPC8111(TE12L,Q,M)
Osa numero:
TPC8111(TE12L,Q,M)
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19343 Pieces
Tietolomake:
1.TPC8111(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8111(TE12L,Q,M).pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPC8111(TE12L,Q,M), meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPC8111(TE12L,Q,M) sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPC8111(TE12L,Q,M) BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SOP (5.5x6.0)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 5.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:TPC8111(TE12L,Q,M)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:5710pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:107nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit