Ostaa TPN14006NH,L1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Sarja: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 14 mOhm @ 6.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerVDFN |
Muut nimet: | TPN14006NH,L1Q(M TPN14006NHL1Q TPN14006NHL1QTR |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TPN14006NH,L1Q |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 60V 13A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
Email: | sales@bychips.com |