TPN14006NH,L1Q
TPN14006NH,L1Q
Osa numero:
TPN14006NH,L1Q
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12649 Pieces
Tietolomake:
TPN14006NH,L1Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPN14006NH,L1Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPN14006NH,L1Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPN14006NH,L1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Sarja:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 6.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:TPN14006NH,L1Q(M
TPN14006NHL1Q
TPN14006NHL1QTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TPN14006NH,L1Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 13A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...