TPN4R203NC,L1Q
TPN4R203NC,L1Q
Osa numero:
TPN4R203NC,L1Q
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16878 Pieces
Tietolomake:
TPN4R203NC,L1Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPN4R203NC,L1Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPN4R203NC,L1Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPN4R203NC,L1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.3V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Sarja:U-MOSVIII
RDS (Max) @ Id, Vgs:4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):700mW (Ta), 22W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerVDFN
Muut nimet:TPN4R203NC,L1Q(M
TPN4R203NCL1QTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:TPN4R203NC,L1Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit