Ostaa TPW4R50ANH,L1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-DSOP Advance |
Sarja: | U-MOSVIII-H |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 46A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-PowerWDFN |
Muut nimet: | TPW4R50ANH,L1Q(M TPW4R50ANHL1QTR |
Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 12 Weeks |
Valmistajan osanumero: | TPW4R50ANH,L1Q |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5200pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 92A (Tc) |
Email: | [email protected] |