TPWR8004PL,L1Q
TPWR8004PL,L1Q
Osa numero:
TPWR8004PL,L1Q
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15534 Pieces
Tietolomake:
TPWR8004PL,L1Q.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä TPWR8004PL,L1Q, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TPWR8004PL,L1Q sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa TPWR8004PL,L1Q BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-DSOP Advance
Sarja:U-MOSIX-H
RDS (Max) @ Id, Vgs:0.8 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max):1W (Ta), 170W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerWDFN
Muut nimet:TPWR8004PL,L1Q(M
TPWR8004PLL1QTR
Käyttölämpötila:175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:TPWR8004PL,L1Q
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9600pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 40V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):40V
Kuvaus:MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit