Ostaa TT8J2TR BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
TT8J2TR
- Osa numero:
- TT8J2TR
- Valmistaja:
- LAPIS Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14629 Pieces
- Tietolomake:
- TT8J2TR.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä TT8J2TR, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma TT8J2TR sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-TSST |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 84 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Virta - Max: | 1.25W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | TT8J2TR |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.8nC @ 5V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat TT8J2TR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7923DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8 | tiedustelu |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | tiedustelu |
 |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | tiedustelu |
 |
TT8J21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8 | tiedustelu |
 |
TC7920K6-G | Microchip Technology | MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN | tiedustelu |
 |
FDG6301N_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | tiedustelu |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | tiedustelu |
 |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | tiedustelu |
 |
NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog