UNR211L00L
UNR211L00L
Osa numero:
UNR211L00L
Valmistaja:
Panasonic
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12746 Pieces
Tietolomake:
UNR211L00L.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä UNR211L00L, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma UNR211L00L sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa UNR211L00L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:Mini3-G1
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:200mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:UN211L-(TX)
UN211L-TX
UN211LTR
UN211LTR-ND
UNR211L00LTR
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:UNR211L00L
Taajuus - Siirtyminen:80MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit