UNR411L00A
UNR411L00A
Osa numero:
UNR411L00A
Valmistaja:
Panasonic
Kuvaus:
TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19007 Pieces
Tietolomake:
UNR411L00A.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä UNR411L00A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma UNR411L00A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa UNR411L00A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:NS-B1
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):4.7k
Vastus - Base (R1) (ohmia):4.7k
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case:NS-B1
Muut nimet:UNR411L00ACT
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:UNR411L00A
Taajuus - Siirtyminen:80MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
Kuvaus:TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit