UNR421800A
UNR421800A
Osa numero:
UNR421800A
Valmistaja:
Panasonic
Kuvaus:
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13701 Pieces
Tietolomake:
UNR421800A.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä UNR421800A, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma UNR421800A sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa UNR421800A BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
transistori tyyppi:NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package:NS-B1
Sarja:-
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia):5.1k
Vastus - Base (R1) (ohmia):510
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Box (TB)
Pakkaus / Case:NS-B1
Muut nimet:UN4218-(TA)
UNR421800ATB
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:UNR421800A
Taajuus - Siirtyminen:150MHz
Laajennettu kuvaus:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
Kuvaus:TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit