Ostaa UNR5212G0L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
transistori tyyppi: | NPN - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | SMini3-F2 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 22k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 22k |
Virta - Max: | 150mW |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SC-85 |
Muut nimet: | UNR5212G0LTR |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | UNR5212G0L |
Taajuus - Siirtyminen: | 150MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 60 @ 5mA, 10V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |