Ostaa UNR9111G0L BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
---|---|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
transistori tyyppi: | PNP - Pre-Biased |
Toimittaja Device Package: | SSMini3-F3 |
Sarja: | - |
Vastus - Lähetin Base (R2) (ohmia): | 10k |
Vastus - Base (R1) (ohmia): | 10k |
Virta - Max: | 125mW |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | SC-89, SOT-490 |
Muut nimet: | UNR9111G0LDKR |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | UNR9111G0L |
Taajuus - Siirtyminen: | 80MHz |
Laajennettu kuvaus: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3 |
Kuvaus: | TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 |
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Nykyinen - Collector (le) (Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |