Ostaa VI20120C-E3/4W BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
VI20120C-E3/4W
- Osa numero:
- VI20120C-E3/4W
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12513 Pieces
- Tietolomake:
- 1.VI20120C-E3/4W.pdf2.VI20120C-E3/4W.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä VI20120C-E3/4W, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VI20120C-E3/4W sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 900mV @ 10A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 120V |
| Toimittaja Device Package: | TO-262AA |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | VI20120C-E3/4W |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 10A Through Hole TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| diodi Tyyppi: | Schottky |
| diodikonfiguraatiolla: | 1 Pair Common Cathode |
| Kuvaus: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO262 |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 700µA @ 120V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode): | 10A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat VI20120C-E3/4W
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
VI20120SG-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20120S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA | tiedustelu |
|
VI20120CHM3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20120SG-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA | tiedustelu |
|
VI20120C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20100SG-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20120SHM3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20120S-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
|
VI20120SGHM3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog