VS-20ETF12-M3
VS-20ETF12-M3
Osa numero:
VS-20ETF12-M3
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18840 Pieces
Tietolomake:
VS-20ETF12-M3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä VS-20ETF12-M3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VS-20ETF12-M3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa VS-20ETF12-M3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos:1.31V @ 20A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max):1200V (1.2kV)
Toimittaja Device Package:TO-220AC
Nopeus:Fast Recovery = 200mA (Io)
Sarja:-
Käänteinen Recovery Time (TRR):400ns
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-220-2
Muut nimet:VS-20ETF12-M3GI
Käyttölämpötila - liitäntä:-40°C ~ 150°C
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:8 Weeks
Valmistajan osanumero:VS-20ETF12-M3
Laajennettu kuvaus:Diode Standard 1200V (1.2kV) 20A Through Hole TO-220AC
diodi Tyyppi:Standard
Kuvaus:DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr:100µA @ 1200V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io):20A
Kapasitanssi @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit