VS-GB100LP120N
Osa numero:
VS-GB100LP120N
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19417 Pieces
Tietolomake:
VS-GB100LP120N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä VS-GB100LP120N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VS-GB100LP120N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa VS-GB100LP120N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Toimittaja Device Package:INT-A-PAK
Sarja:-
Virta - Max:658W
Pakkaus / Case:INT-A-Pak
Muut nimet:VSGB100LP120N
Käyttölämpötila:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:17 Weeks
Valmistajan osanumero:VS-GB100LP120N
Input kapasitanssi (Cies) @ Vce:7.43nF @ 25V
panos:Standard
IGBT Tyyppi:-
Laajennettu kuvaus:IGBT Module Single 1200V 200A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
Kuvaus:IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):1mA
Nykyinen - Collector (le) (Max):200A
kokoonpano:Single
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit