VS-GT100TP120N
Osa numero:
VS-GT100TP120N
Valmistaja:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Kuvaus:
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19846 Pieces
Tietolomake:
VS-GT100TP120N.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä VS-GT100TP120N, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VS-GT100TP120N sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa VS-GT100TP120N BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic:2.35V @ 15V, 100A
Toimittaja Device Package:INT-A-PAK
Sarja:-
Virta - Max:652W
Pakkaus / Case:INT-A-PAK (3 + 4)
Muut nimet:VSGT100TP120N
Käyttölämpötila:175°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Asennustyyppi:Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:VS-GT100TP120N
Input kapasitanssi (Cies) @ Vce:12.8nF @ 30V
panos:Standard
IGBT Tyyppi:Trench
Laajennettu kuvaus:IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK
Kuvaus:IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):5mA
Nykyinen - Collector (le) (Max):180A
kokoonpano:Half Bridge
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit