Ostaa VSSB410S-M3/52T BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
VSSB410S-M3/52T
- Osa numero:
- VSSB410S-M3/52T
- Valmistaja:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13433 Pieces
- Tietolomake:
- 1.VSSB410S-M3/52T.pdf2.VSSB410S-M3/52T.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä VSSB410S-M3/52T, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VSSB410S-M3/52T sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 770mV @ 4A |
|---|---|
| Jännite - DC Reverse (Vr) (Max): | 100V |
| Toimittaja Device Package: | DO-214AA (SMB) |
| Nopeus: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Sarja: | TMBS® |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | DO-214AA, SMB |
| Muut nimet: | VSSB410S-M3/52TGITR |
| Käyttölämpötila - liitäntä: | -40°C ~ 150°C |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 26 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | VSSB410S-M3/52T |
| Laajennettu kuvaus: | Diode Schottky 100V 1.9A (DC) Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| diodi Tyyppi: | Schottky |
| Kuvaus: | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 250µA @ 100V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 1.9A (DC) |
| Kapasitanssi @ Vr, F: | 230pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat VSSB410S-M3/52T
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
VSSB410S-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | tiedustelu |
 |
SS32-M3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 3A 20V DO-214AB | tiedustelu |
|
VSSB410S-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | tiedustelu |
|
VSSB410S-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA | tiedustelu |
|
VSSB420S-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | tiedustelu |
 |
MDO1200-22N1 | IXYS | DIODE MODULE 2.2KV Y1-CU | tiedustelu |
 |
MBRB1050-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO263AB | tiedustelu |
 |
FFH50US60S | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 50A TO247 | tiedustelu |
 |
FR20MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 | tiedustelu |
|
VSSB420S-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA | tiedustelu |
 |
1N5406RL | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog