Ostaa VUO85-12NO7 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
VUO85-12NO7
- Osa numero:
- VUO85-12NO7
- Valmistaja:
- IXYS Corporation
- Kuvaus:
- RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13887 Pieces
- Tietolomake:
- VUO85-12NO7.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä VUO85-12NO7, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma VUO85-12NO7 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Peak Reverse (Max): | 1200V |
|---|---|
| Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos: | 1.6V @ 150A |
| teknologia: | Standard |
| Toimittaja Device Package: | FO-T-A |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Bulk |
| Pakkaus / Case: | FO-T-A |
| Käyttölämpötila: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Chassis Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | VUO85-12NO7 |
| Laajennettu kuvaus: | Bridge Rectifier Three Phase 1200V 85A Chassis Mount FO-T-A |
| diodi Tyyppi: | Three Phase |
| Kuvaus: | RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A |
| Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr: | 500µA @ 1200V |
| Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io): | 85A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat VUO85-12NO7
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
GSIB15A80-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 15A 800V GSIB-5S | tiedustelu |
 |
VBO20-16AO2 | IXYS | DIODE BRIDGE 31A 1600V AVAL FO-A | tiedustelu |
 |
KBPM202G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 200V 2A KBPM | tiedustelu |
|
VS-110MT120KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | POWER MOD 3PH BRIDGE 110A MTK | tiedustelu |
 |
VUO85-14NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 85A 1400V FO-T-A | tiedustelu |
 |
VUO22-12NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 25A 1200V V1-A | tiedustelu |
|
VUO85-16NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 85A 1200V FO-T-A | tiedustelu |
|
VUO85-08NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 85A 800V FO-T-A | tiedustelu |
 |
DF1508S-E3/77 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1.5A 800V 4SMD | tiedustelu |
 |
KBP202G | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 200V 2A KBP | tiedustelu |
 |
MB6S-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 0.5A 600V MINI TO269AA | tiedustelu |
 |
W02G | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE 200V 1.5A GPP WOG | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog